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Material semiconductor de oblea HC

Tenemos stock suficiente y también admitimos personalización.Cantidad de pedido flexible, si solo necesita pocas cantidades, somos su mejor opción.Stock suficiente con tiempo de entrega corto, si lo necesita con urgencia, somos su mejor opción.Fuerte capacidad de personalización, si su pedido tiene especificaciones especiales, somos su mejor opción.

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Oblea de silicio monocristalino

HC Wafer, un proveedor de obleas de silicio, podemos ofrecer obleas de silicio FZ, oblea CZ, Oblea de prueba, oblea simulada, oblea pulida, oblea de grabado.

Oblea de carburo de silicio

Podemos ofrecer sustrato sic de 2, 3, 4 y 6 pulgadas. El carburo de silicio (SiC) es un nuevo material semiconductor compuesto con un rendimiento superior. Los semiconductores de carburo de silicio tienen características excelentes, como un gran ancho de banda prohibida (aproximadamente 3 veces mayor que el del silicio), una alta intensidad de campo crítico (aproximadamente 10 veces mayor que la del silicio) y una alta conductividad térmica (aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio). Son materiales semiconductores ideales para fabricar dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia (chips de potencia).

Vaso

Suministro de oblea Hc Sílice fundida, cuarzo cristalino y sustrato de zafiro.

oblea de germanio

Suministro de obleas Hc obleas de germanio Ge. Tamaño: 2-6 pulgadas, se pueden personalizar otros tamaños. Orientación del cristal: 100/111, apagado 4°, 6°, 9°, etc. Tipo conductor: tipo N, tipo P, alta resistividad sin dopar.

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ÚLTIMAS NOTICIAS

Sep 28,2023

Oblea de silicio semiconductor

Según la clasificación de los procesos de fabricación, las obleas de silicio semiconductor se pueden dividir principalmente en obleas pulidas, obleas epitaxiales y materiales de alta gama a base de silicio representados por obleas de silicio SOI. Los lingotes de silicio monocristalino se cortan, muelen y pulen para obtener obleas pulidas. La oblea pulida sufre un crecimiento epitaxial para formar una oblea epitaxial, y la oblea pulida sufre procesos como oxidación, unión o implantación de iones para formar una oblea de silicio SOI.   Según la clasificación de tamaño, el tamaño de las obleas de silicio semiconductor (calculado en diámetro) incluye principalmente especificaciones como 125 mm (5 pulgadas), 150 mm (6 pulgadas), 200 mm (8 pulgadas) y 300 mm (12 pulgadas).   Cuando el tamaño de la oblea de silicio aumenta, aumenta la cantidad de chips en una sola oblea de silicio, lo que puede mejorar la eficiencia de la producción y reducir los costos de producción. El área de una oblea de silicio de 300 mm es 2,25 veces mayor que la de una oblea de silicio de 200 mm. En términos de la cantidad de chips producidos, tomando como ejemplo un chip de 1,5 cm × 1,5 cm, la cantidad de chips de oblea de silicio de 300 mm es 232 y la cantidad de obleas de silicio de 200 mm es 88. La oblea de silicio de 300 mm es una oblea de silicio de 200 mm. 2,64 veces el número de fichas. LEER MÁS
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