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Como material semiconductor de tercera generación, el carburo de silicio tiene las características de un gran ancho de banda prohibida, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta velocidad de deriva de electrones de saturación, una alta conductividad térmica y una alta resistencia a la radiación en comparación con los materiales de silicio. Es adecuado para fabricar productos de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia. , dispositivos de alta potencia. Actualmente, desde la energía fotovoltaica hasta los vehículos de nueva energía, la demanda de carburo de silicio en el mercado downstream es fuerte. Especialmente a medida que la demanda de vehículos eléctricos y nuevas energías continúa creciendo, la demanda de materiales de SiC muestra una tendencia de crecimiento vertiginoso. El carburo de silicio nacional se está acelerando desde la industrialización hasta la comercialización. Desde la perspectiva de la cadena industrial, la cadena de la industria del SiC es relativamente larga e involucra una serie de eslabones como sustrato, epitaxia, diseño de dispositivos, fabricación de dispositivos, embalaje y pruebas. Cada vínculo requiere un gran profesionalismo y también alta tecnología e inversión de capital.