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Según la clasificación de los procesos de fabricación, las obleas de silicio semiconductor se pueden dividir principalmente en obleas pulidas, obleas epitaxiales y materiales de alta gama a base de silicio representados por obleas de silicio SOI. Los lingotes de silicio monocris...

Como material semiconductor de tercera generación, el carburo de silicio tiene las características de un gran ancho de banda prohibida, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta velocidad de deriva de electrones de saturación, una alta conductividad térmica y un...