Oblea de carburo de silicio

Oblea de carburo de silicio

Podemos ofrecer sustrato sic de 2, 3, 4 y 6 pulgadas. El carburo de silicio (SiC) es un nuevo material semiconductor compuesto con un rendimiento superior. Los semiconductores de carburo de silicio tienen características excelentes, como un gran ancho de banda prohibida (aproximadamente 3 veces mayor que el del silicio), una alta intensidad de campo crítico (aproximadamente 10 veces mayor que la del silicio) y una alta conductividad térmica (aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio). Son materiales semiconductores ideales para fabricar dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia (chips de potencia).