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Los materiales semiconductores se dividen según los enlaces de aplicación y se pueden dividir en dos categorías: materiales de fabricación de obleas frontales y materiales de embalaje finales. Los principales materiales de fabricación de obleas incluyen: obleas de silicio, gases especiales para electrónica, fotoprotectores y reactivos de soporte, productos químicos electrónicos húmedos, materiales de pulido, objetivos, fotomáscaras, etc.; Los principales materiales de embalaje incluyen: marcos de plomo, sustratos de embalaje, materiales plásticos de sellado, materiales cerámicos, cables de unión, materiales de corte, etc.   Proporción de diversos materiales:   Entre los materiales semiconductores, los materiales de fabricación representan aproximadamente el 63,1% y los materiales de embalaje el 36,9%;   Entre los materiales de fabricación de obleas, las obleas de silicio representan la mayor proporción, con un 35%; el gas electrónico ocupa el segundo lugar, con el 13%; las máscaras ocupan el tercer lugar, con un 12%, y las fotorresistentes con un 6%; el fotorresistente ocupa el tercer lugar. Los materiales de soporte representan el 8%; los productos químicos electrónicos húmedos representan el 7%; Los materiales de pulido CMP representan el 6%; Los materiales objetivo representan el 2%.   Entre los materiales de embalaje, los sustratos de embalaje representan la mayor proporción con un 48%; los marcos de conductores, los cables de unión, los materiales de embalaje, los sustratos cerámicos y los materiales de unión de chips representan el 15%, 15%, 10%, 6% y 3%.

Las obleas de silicio están omnipresentes en nuestras vidas. chips de silicio Se utilizan ampliamente en dispositivos informáticos como computadoras personales, servidores y supercomputadoras. Sirven como núcleo de la unidad central de procesamiento (CPU) y controlan el funcionamiento de todo el sistema informático. La alta integración y rendimiento de los chips de silicio hacen que los sistemas informáticos sean más eficientes, estables y rápidos. Además, los chips de silicio también se utilizan para almacenamiento, procesamiento de gráficos y control de diversos dispositivos de entrada y salida. El campo de las comunicaciones es también una de las áreas donde se utilizan ampliamente los chips de silicio. Los dispositivos de comunicación modernos, como teléfonos móviles, teléfonos inteligentes, enrutadores inalámbricos y estaciones base de comunicación, no pueden funcionar sin chips de silicio. Los chips de silicio controlan funciones clave como la comunicación inalámbrica, el procesamiento de señales y la transmisión de datos en estos dispositivos. Con la llegada de la era 5G, las perspectivas de aplicación de los chips de silicio son cada vez más amplias. Asumirán más tareas de computación y procesamiento, brindando garantías para sistemas de comunicación más rápidos y estables. El campo de la electrónica de consumo también es un campo de aplicación importante para los chips de silicio. Varios productos electrónicos de la vida moderna, como televisores inteligentes, consolas de juegos, cámaras, dispositivos de reproducción de audio, etc., requieren chips de silicio para realizar diversas funciones. El alto rendimiento y el bajo consumo de energía de los chips de silicio hacen que estos dispositivos sean más inteligentes, portátiles y ahorren energía. Además, con el auge de la inteligencia artificial y el Internet de las cosas, la aplicación de chips de silicio en el campo de la electrónica de consumo se ampliará aún más. La aplicación generalizada de obleas de silicio ha traído cambios tremendos en nuestras vidas.

Según la clasificación de los procesos de fabricación, obleas de silicio semiconductor Se puede dividir principalmente en obleas pulidas, obleas epitaxiales y materiales a base de silicio de alta gama representados por obleas de silicio SOI. Los lingotes de silicio monocristalino se procesan cortando, moliendo y puliendo para obtener obleas pulidas. La oblea pulida sufre un crecimiento epitaxial para formar una oblea epitaxial, que luego se procesa mediante procesos como oxidación, unión o implantación de iones para formar una oblea de silicio SOI.Según la clasificación de tamaño, las dimensiones de las obleas de silicio semiconductor (calculadas en diámetro) incluyen principalmente especificaciones como 125 mm (5 pulgadas), 150 mm (6 pulgadas), 200 mm (8 pulgadas) y 300 mm (12 pulgadas).Cuanto mayor sea el tamaño de la oblea de silicio, más chips habrá en una oblea de silicio única, que puede mejorar la eficiencia de la producción y reducir los costos de producción. Una oblea de silicio de 300 mm tiene 2,25 veces el área de una oblea de silicio de 200 mm y, en términos de la cantidad de chips producidos, 1,5 cm × Tomando un chip de 1,5 cm como ejemplo, hay 232 chips de silicio de 300 mm y 88 chips de silicio de 200 mm. La cantidad de chips de silicio de 300 mm es 2,64 veces mayor que la de chips de silicio de 200 mm.

Presentamos el silicio de difracción cero: redefiniendo la precisión en la tecnología XRDIngrese al mundo de la difracción de rayos X de vanguardia con el silicio de difracción cero. Elaborada con meticulosa atención al detalle, esta revolucionaria oblea de silicio está diseñada para eliminar incluso el más mínimo indicio de difracción, lo que garantiza resultados exactos y precisos en experimentos de difracción de rayos X.Libere todo el potencial de su sistema XRD con silicio de difracción cero. Cuando la luz atraviesa esta notable oblea, no encuentra obstáculos, distorsiones ni interferencias. Sea testigo de patrones de difracción cristalinos que no se ven afectados por las limitaciones de los materiales convencionales.Diseñado para la perfección, el silicio de difracción cero cuenta con un nivel inigualable de pureza y uniformidad. Cada oblea se fabrica de manera impecable según los más altos estándares de la industria, lo que garantiza consistencia en el rendimiento y precisión de las mediciones. Dígale adiós a la variación y la incertidumbre y acepte la certeza de resultados confiables.Pero el silicio de difracción cero no se trata sólo de una precisión inigualable; también ofrece una durabilidad excepcional. Resistente a las fluctuaciones de temperatura, reacciones químicas y desgaste físico, esta oblea resiste las condiciones experimentales más exigentes sin comprometer su fenomenal rendimiento. Tenga la seguridad de una calidad duradera que le servirá a través de innumerables experimentos.La fácil integración es un sello distintivo de Silicio de difracción cero. Para una configuración y operación perfectas, la oblea está diseñada para encajar sin esfuerzo en sistemas XRD estándar, eliminando la necesidad de modificaciones o adaptaciones complejas. Esto significa un tiempo de inactividad mínimo y una productividad máxima, lo que permite a los investigadores y científicos centrarse en lo que realmente importa: ampliar los límites del descubrimiento científico.Con el silicio de difracción cero, le espera un mundo de posibilidades. Libere el potencial de la difracción de rayos X con una precisión y confiabilidad sin precedentes. Ya sea explorando nuevos materiales, analizando estructuras cristalinas o estudiando transformaciones de fase, confíe en el silicio de difracción cero para revolucionar sus experimentos de XRD.Experimente el futuro de la tecnología XRD. Descubra hoy el silicio de difracción cero y abrace una nueva era de precisión en la investigación científica.

Obleas de carburo de silicio (SiC) Generalmente son monocristales, pero estos Obleas de SiC monocristalinas puede estar compuesto de diferentes formas policristalinas, incluidas 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, etc. Cada forma policristalina tiene sus propias propiedades únicas.El 3C-SiC tiene una estructura cúbica.El 4H-SiC tiene una estructura tetragonal.El 6H-SiC tiene una estructura hexagonal doble. Sus diferencias en el patrón de disposición atómica y número de coordinación. El 3C-SiC tiene la velocidad teórica más alta de los electrones, pero también tiene los mayores rastros de corrosión de impurezas. 4H-SiC y 6H-SiC tienen mejores costos.efectividad y confiabilidad del equipo. El 3C-SiC tiene una estructura cristalina cúbica, con cada átomo de silicio rodeado por cuatro átomos de carbono y cuatro átomos de silicio adyacentes. Esta estructura tiene la velocidad teórica más alta de los electrones, pero también es susceptible a impurezas, lo que produce marcas de corrosión por impurezas. Tanto el 4H-SiC como el 6H-SiC pertenecen al sistema cristalino hexagonal. Sus disposiciones atómicas son diferentes, pero ambas tienen mejor rentabilidad y confiabilidad del equipo porque su estructura cristalina tiene mejor estabilidad y menores concentraciones de impurezas, lo que les permite operar a altas temperaturas, alta potencia y condiciones de alto voltaje.