Epitaxial sobre sustrato de silicio.

El proceso de epitaxia es en realidad una técnica de crecimiento de monocristal en capa delgada, que implica hacer crecer una nueva capa de monocristal con un cierto tipo de conductividad, resistividad, espesor y estructura reticular consistente con monocristales a granel a lo largo de la dirección del cristal sobre el sustrato de monocristales de silicio bajo ciertas condiciones.