Obleas de carburo de silicio (SiC) Generalmente son monocristales, pero estos Obleas de SiC monocristalinas puede estar compuesto de diferentes formas policristalinas, incluidas 3C SiC, 4H SiC, 6H SiC, etc. Cada forma policristalina tiene sus propias propiedades únicas.

El 3C-SiC tiene una estructura cúbica.

El 4H-SiC tiene una estructura tetragonal.

El 6H-SiC tiene una estructura hexagonal doble.

 

Sus diferencias en el patrón de disposición atómica y número de coordinación. El 3C-SiC tiene la velocidad teórica más alta de los electrones, pero también tiene los mayores rastros de corrosión de impurezas.

4H-SiC y 6H-SiC tienen mejores costos.efectividad y confiabilidad del equipo.

 

El 3C-SiC tiene una estructura cristalina cúbica, con cada átomo de silicio rodeado por cuatro átomos de carbono y cuatro átomos de silicio adyacentes. Esta estructura tiene la velocidad teórica más alta de los electrones, pero también es susceptible a impurezas, lo que produce marcas de corrosión por impurezas.

 

Tanto el 4H-SiC como el 6H-SiC pertenecen al sistema cristalino hexagonal. Sus disposiciones atómicas son diferentes, pero ambas tienen mejor rentabilidad y confiabilidad del equipo porque su estructura cristalina tiene mejor estabilidad y menores concentraciones de impurezas, lo que les permite operar a altas temperaturas, alta potencia y condiciones de alto voltaje.