Sustrato de silicio con película metálica

Oblea de silicio FZ Método de crecimiento Zona flotante, en su mayoría es dopante o desdopante ligero con alta resistividad. La resistividad en su mayoría> 1000 Ohm.cm.Sin embargo, en algunos casos, el dopado de varillas de silicio de fusión zonal también se puede lograr mediante iluminación NTD y dopaje con gas GD para lograr una mejor uniformidad y una menor resistividad.Si necesita alguna especificación de sustrato de silicio, puede contactarnos.

Oblea de silicio monocristalino de CzochralskiMétodo de crecimiento: CZ El proceso principal consiste en colocar silicio policristalino en el crisol, calentarlo para fundirlo, luego sujetar un cristal semilla de silicio monocristalino y suspenderlo sobre el crisol. Al tirar en línea recta, inserte un extremo en el derretimiento hasta que se derrita, luego gire lentamente y tire hacia arriba. De esta forma, se formará un monocristal mediante condensación gradual en la interfaz entre líquido y sólido. Dado que todo el proceso puede considerarse como un proceso de replicación del cristal semilla, el cristal de silicio generado es silicio monocristalino.El método Czochralski tiene un contenido relativamente alto de carbono y oxígeno y muchas impurezas y defectos, pero el costo es bajo. Por lo general, fósforo dopante de oblea de silicio Cz, boro, Sb, As.

Según los métodos de proceso, se puede dividir en monocristal CZ Si, monocristal FZ Si y monocristal MCZ Si. El monocristal de silicio de fusión por zonas se utiliza principalmente para fabricar dispositivos electrónicos de potencia y transistores de alta potencia. El monocristal de silicio magnético se utiliza principalmente para fabricar dispositivos CCI. El 90% de la producción se compone de monocristales de silicio de Czochralski, que se utilizan para fabricar circuitos integrados y otros componentes discretos.Se puede dividir en monocristal de silicio a nivel de circuito, monocristal de silicio a nivel de detector, etc. según su finalidad.Podemos suministrar CZ, MCZ, FZ mLingote de silicio onocristalino.

La oblea de óxido de silicio es un crecimiento térmico de una capa de óxido uniforme sobre la superficie desnuda de la oblea de silicio. El proceso de oxidación incluye oxidación seca a alta temperatura y oxidación húmeda a alta temperatura.

Al depositar películas metálicas sobre la superficie de las obleas de silicio, se pueden preparar componentes como cables de electrodos y transistores. Estas películas metálicas tienen buena conductividad y estabilidad, lo que puede garantizar el funcionamiento normal del circuito. Comúnmente, las películas metálicas son oro, platino, aluminio, cobre, plata, etc.

Película de Si3N4 sobre oblea de silicio de LPCVD.

El proceso de epitaxia es en realidad una técnica de crecimiento de monocristal en capa delgada, que implica hacer crecer una nueva capa de monocristal con un cierto tipo de conductividad, resistividad, espesor y estructura reticular consistente con monocristales a granel a lo largo de la dirección del cristal sobre el sustrato de monocristales de silicio bajo ciertas condiciones.

Es adecuado para probar muestras con fuertes picos de absorción en muchos rangos y puede deducir la influencia del ruido de fondo.Tenemos existencias de obleas de silicio de difracción cero. Bienvenido a contactarnos.

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Maniquí de 12 pulgadas solicitado para pruebas antes de la producción real.También se aplica para equipos de prueba.Tenemos un gran stock de oblea de silicio de 12 pulgadas a un precio muy económico.Bienvenido a enviarnos su consulta.

El corte de obleas de silicio se utiliza principalmente en los campos de los semiconductores, la optoelectrónica y la energía solar, y es uno de los procesos importantes para la fabricación de chips y componentes optoelectrónicos.