Obleas de silicio semiconductor

Según la clasificación de los procesos de fabricación, obleas de silicio semiconductor Se puede dividir principalmente en obleas pulidas, obleas epitaxiales y materiales a base de silicio de alta gama representados por obleas de silicio SOI. Los lingotes de silicio monocristalino se procesan cortando, moliendo y puliendo para obtener obleas pulidas. La oblea pulida sufre un crecimiento epitaxial para formar una oblea epitaxial, que luego se procesa mediante procesos como oxidación, unión o implantación de iones para formar una oblea de silicio SOI.Según la clasificación de tamaño, las dimensiones de las obleas de silicio semiconductor (calculadas en diámetro) incluyen principalmente especificaciones como 125 mm (5 pulgadas), 150 mm (6 pulgadas), 200 mm (8 pulgadas) y 300 mm (12 pulgadas).Cuanto mayor sea el tamaño de la oblea de silicio, más chips habrá en una oblea de silicio única, que puede mejorar la eficiencia de la producción y reducir los costos de producción. Una oblea de silicio de 300 mm tiene 2,25 veces el área de una oblea de silicio de 200 mm y, en términos de la cantidad de chips producidos, 1,5 cm × Tomando un chip de 1,5 cm como ejemplo, hay 232 chips de silicio de 300 mm y 88 chips de silicio de 200 mm. La cantidad de chips de silicio de 300 mm es 2,64 veces mayor que la de chips de silicio de 200 mm.