Oblea de silicio monocristalino de 300 mm

Oblea de silicio FZ Método de crecimiento Zona flotante, en su mayoría es dopante o desdopante ligero con alta resistividad. La resistividad en su mayoría> 1000 Ohm.cm.Sin embargo, en algunos casos, el dopado de varillas de silicio de fusión zonal también se puede lograr mediante iluminación NTD y dopaje con gas GD para lograr una mejor uniformidad y una menor resistividad.Si necesita alguna especificación de sustrato de silicio, puede contactarnos.