Oblea de silicio dopante pesado

Oblea de silicio monocristalino de CzochralskiMétodo de crecimiento: CZ El proceso principal consiste en colocar silicio policristalino en el crisol, calentarlo para fundirlo, luego sujetar un cristal semilla de silicio monocristalino y suspenderlo sobre el crisol. Al tirar en línea recta, inserte un extremo en el derretimiento hasta que se derrita, luego gire lentamente y tire hacia arriba. De esta forma, se formará un monocristal mediante condensación gradual en la interfaz entre líquido y sólido. Dado que todo el proceso puede considerarse como un proceso de replicación del cristal semilla, el cristal de silicio generado es silicio monocristalino.El método Czochralski tiene un contenido relativamente alto de carbono y oxígeno y muchas impurezas y defectos, pero el costo es bajo. Por lo general, fósforo dopante de oblea de silicio Cz, boro, Sb, As.