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Oblea de oxidación térmica de silicio Oblea de silicio con película metálica Oblea de nitruro de silicio Epitaxial sobre sustrato de silicio. Vidrio Boroflot 33 Oblea de zafiro Al2O3 Silicio con Si3N4
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Oblea de oxidación térmica de silicio de 2-12 pulgadas

Dry Oxidation Silicon Wafer
Wet Oxidation Silicon Wafer
Si Thermal OxidationWafer

Oblea de oxidación térmica de silicio de 2-12 pulgadas

La oblea de óxido de silicio es un crecimiento térmico de una capa de óxido uniforme sobre la superficie desnuda de la oblea de silicio. El proceso de oxidación incluye oxidación seca a alta temperatura y oxidación húmeda a alta temperatura.

  • Artículo No :

    004

  • Orden (MOQ) :

    1

  • Pago :

    100% prepay

  • Origen del producto :

    China
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Oblea de oxidación térmica de silicio

 
Diámetro2 pulgadas, 3 pulgadas4 pulgadas, 5 pulgadas6 pulgadas8 pulgadas 12 pulgadas
Orientación (100),(111)(100),(111)(100),(111)(100),(111)(100),(111)
TipoN,P,IntrínsecoN,P,IntrínsecoN,P,IntrínsecoN,P,IntrínsecoP, intrínseco
dopantePhos, Boro, As, Sb, UndopantPhos, Boro, As, Sb, UndopantPhos, Boro, As, Sb, UndopantPhos, Boro, UndopantBoro
Resistividad (Ohm.cm)<0,1, <0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000
cualquier otro según su petición		<0,1, <0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000
cualquier otro según su petición		<0,1, <0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000
cualquier otro según su petición		<0,1, <0,01,1-10,1-100,>1000,>10000,>20000
cualquier otro según su petición		<1, 1-100，>10000，
cualquier otro según su petición
Sio2 en superficiedoble cara con capa de Sio2doble cara con capa de Sio2doble cara con capa de Sio2doble cara con capa de Sio2doble cara con capa de Sio2
El espesor de la capa de Sio2.100nm,200nm,300nm,500nm,1um
Cualquier otro espesor según su petición		100nm,200nm,300nm,500nm,1um
Cualquier otro espesor según su petición		100nm,200nm,300nm,500nm,1um
Cualquier otro espesor según su petición		100nm,200nm,300nm,500nm,1um
Cualquier otro espesor según su petición		100nm,200nm,300nm,500nm,1um
Cualquier otro espesor según su petición
 

 

Solicitud:

1. Circuito integrado: las obleas de silicio de óxido térmico son uno de los materiales semiconductores comúnmente utilizados en la fabricación de circuitos integrados y se utilizan ampliamente en la fabricación de chips como microprocesadores y memorias.

2. Células solares: las obleas de silicio de óxido térmico se pueden utilizar para fabricar células solares eficientes y estables, y son uno de los materiales más utilizados en el campo de la energía solar.

PREGUNTAS MÁS FRECUENTES:

1: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido?

Tenemos stock, así que informe la cantidad que necesita y luego verificaremos la cantidad de nuestro stock. Si no tenemos stock, nos basaremos en el material que tenemos.

2: ¿Cuál es el tiempo de producción?

Si tenemos existencias, el tiempo de entrega es de alrededor de 2 a 3 semanas. Si es necesario realizar la producción, el tiempo de entrega debe discutirse en función de su cantidad.

3: ¿Cuál es su método de pago?

Generalmente por TT, si necesita otro método, por favor hable con nosotros.

 

ETIQUETAS CALIENTES : Oblea de oxidación térmica de silicio Oblea de silicio TOX de 300 mm Oblea de silicio de oxidación térmica húmeda Oblea de silicio de oxidación térmica seca Silicio con capa de SiO2 Silicio con película de SiO2
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